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RU 4B

RU 4B

참조 용

부품 번호 RU 4B
PNEDA 부품 번호 RU-4B
설명 DIODE GEN PURP 800V 1.5A AXIAL
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
재고 있음 5,544
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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RU 4B 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RU 4B
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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RU 4B 사양

제조업체Sanken
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)400ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스Axial
공급자 장치 패키지-
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 560V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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DO-201AD

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

작동 온도-접합

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

100pF @ 4V, 1MHz

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