RW1C020UNT2R
참조 용
| 부품 번호 | RW1C020UNT2R |
| PNEDA 부품 번호 | RW1C020UNT2R |
| 설명 | MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6 |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,190 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 18 - 3월 23 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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RW1C020UNT2R 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | RW1C020UNT2R |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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RW1C020UNT2R 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 180pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 400mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | 6-WEMT |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta), 3.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0.9V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 650mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 4.5V Vgs (최대) -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 6V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 820mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-WLB1010-4 패키지 / 케이스 4-UFBGA, WLBGA |
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