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RZQ045P01TR

RZQ045P01TR

참조 용

부품 번호 RZQ045P01TR
PNEDA 부품 번호 RZQ045P01TR
설명 MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
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RZQ045P01TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RZQ045P01TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
RZQ045P01TR, RZQ045P01TR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 120.8 KB)
PDFRZQ045P01TR 데이터 시트 표지
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RZQ045P01TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs31nC @ 4.5V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2450pF @ 6V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.25W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 51A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2810pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FKP202

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

BSM600C12P3G201

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 182mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2460W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

Module

패키지 / 케이스

Module

SIR492DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

110nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3720pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

STW20N65M5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ V

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1345pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

130W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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