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S10JCHR7G

S10JCHR7G

참조 용

부품 번호 S10JCHR7G
PNEDA 부품 번호 S10JCHR7G
설명 DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,992
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S10JCHR7G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S10JCHR7G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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S10JCHR7G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

414pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

6.6pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

MPG06, Axial

공급자 장치 패키지

MPG06

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBR16H45-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

1N2130A

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 60A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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