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S150J

S150J

참조 용

부품 번호 S150J
PNEDA 부품 번호 S150J
설명 DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,696
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S150J 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S150J
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S150J, S150J 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 763.66 KB)
PDFS150QR 데이터 시트 표지
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S150J 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)150A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 150A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AA, DO-8, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AA (DO-8)
작동 온도-접합-65°C ~ 200°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

5.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

360pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1600V

커패시턴스 @ Vr, F

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