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S150JR

S150JR

참조 용

부품 번호 S150JR
PNEDA 부품 번호 S150JR
설명 DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,950
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S150JR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S150JR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S150JR, S150JR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 763.66 KB)
PDFS150QR 데이터 시트 표지
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S150JR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)150A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 150A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AA, DO-8, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AA (DO-8)
작동 온도-접합-65°C ~ 200°C

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

7pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MBR1045 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 10A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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작동 온도-접합

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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DO-214AA (SMB)

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