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S150Q

S150Q

참조 용

부품 번호 S150Q
PNEDA 부품 번호 S150Q
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,308
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S150Q 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S150Q
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S150Q, S150Q 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 763.66 KB)
PDFS150QR 데이터 시트 표지
S150QR 데이터 시트 페이지 2 S150QR 데이터 시트 페이지 3

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S150Q 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)150A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 150A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AA, DO-8, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AA (DO-8)
작동 온도-접합-65°C ~ 200°C

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Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (HSMA)

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

CSD01060A

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Zero Recovery™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

JANTXV1N5804

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/477

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

875mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

C3D02065E-TR

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Z-Rec®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

120pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

AS4PG-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

2.4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

962mV @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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