S1G-JR3
참조 용
| 부품 번호 | S1G-JR3 |
| PNEDA 부품 번호 | S1G-JR3 |
| 설명 | STANDARD RECOVERY RECTIFIER |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,506 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S1G-JR3 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S1G-JR3 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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S1G-JR3 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 400V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 1A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 1.5µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 400V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AC, SMA |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AC (SMA) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 75V 커패시턴스 @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 ECOPACK® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 560mV @ 300mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 6µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-XFBGA, FCBGA 공급자 장치 패키지 2-FlipChip 작동 온도-접합 -30°C ~ 85°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 8A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 Insulated, TO-220AC 공급자 장치 패키지 ITO-220AC 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
