S1JLHRQG
참조 용
| 부품 번호 | S1JLHRQG |
| PNEDA 부품 번호 | S1JLHRQG |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,568 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S1JLHRQG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S1JLHRQG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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S1JLHRQG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 1A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 1.8µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB |
| 공급자 장치 패키지 | Sub SMA |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Semtech Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 37500V 전류-평균 정류 (Io) 50mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 50V @ 100mA 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 37500V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 5A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 190µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F 240pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 DPAK 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 80V 전류-평균 정류 (Io) 130mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 100mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 4ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 80V 커패시턴스 @ Vr, F 2pF @ 0.5V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AG, DO-34, Axial 공급자 장치 패키지 MSD 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 80A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 750mV @ 80A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 SUPERECTIFIER® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.25V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 14pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
