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S1JLHRQG

S1JLHRQG

참조 용

부품 번호 S1JLHRQG
PNEDA 부품 번호 S1JLHRQG
설명 DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,568
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S1JLHRQG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S1JLHRQG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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S1JLHRQG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.8µs
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F9pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

ES2A-13-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

25pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

PMEG060V050EPDZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

17ns

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

510pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

CFP15

작동 온도-접합

175°C (Max)

BYM12-400-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

14pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

CSICD05-1200 TR13

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

190µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

240pF @ 1V, 1MHz

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Surface Mount

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