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S1KW32C-4N

S1KW32C-4N

참조 용

부품 번호 S1KW32C-4N
PNEDA 부품 번호 S1KW32C-4N
설명 DIODE GEN PURP 32KV 3A
제조업체 Semtech
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재고 있음 7,704
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S1KW32C-4N 리소스

브랜드 Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S1KW32C-4N
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
S1KW32C-4N, S1KW32C-4N 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 59.44 KB)
PDFS1KW48C-6D 데이터 시트 표지
S1KW48C-6D 데이터 시트 페이지 2

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S1KW32C-4N 사양

제조업체Semtech Corporation
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Series Connection
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)32000V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If32V @ 3A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2µs
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 32000V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지-

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 45V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

DZ3600S17K3B2NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 구성

3 Independent

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1700V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.2V @ 3600A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3050A @ 900V

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

A-IHM190-1

SBR6100CTLQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

SBR®

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

740mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252

MBRTA80030RL

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

400A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 400A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 30V

작동 온도-접합

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Chassis Mount

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Three Tower

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1200V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

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