S200-50A
참조 용
| 부품 번호 | S200-50A |
| PNEDA 부품 번호 | S200-50A |
| 설명 | RF POWER TRANSISTOR |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,022 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S200-50A 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S200-50A |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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S200-50A 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| 주파수-전환 | - |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | - |
| 전력-최대 | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V 주파수-전환 700MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 200MHz 이득 20dB ~ 24dB 전력-최대 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 2mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대) 20mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 9V 주파수-전환 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1dB @ 1.8GHz 이득 13.5dB 전력-최대 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대) 35mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지 PG-SC-75 |
제조업체 CEL 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 10V 주파수-전환 10GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz 이득 10.2dB 전력-최대 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대) 35mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 SOT-343 |
제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 20V 주파수-전환 650MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 3.3dB @ 100MHz 이득 24dB 전력-최대 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 65 @ 1mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대) 15mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-85 공급자 장치 패키지 SMini3-F2 |
