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S200-50A

S200-50A

참조 용

부품 번호 S200-50A
PNEDA 부품 번호 S200-50A
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S200-50A 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S200-50A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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S200-50A 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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주파수-전환

700MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

이득

20dB ~ 24dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MS2356A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFR 360T E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

9V

주파수-전환

14GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

이득

13.5dB

전력-최대

210mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

PG-SC-75

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

이득

10.2dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

2SC3931GCL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

이득

24dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-85

공급자 장치 패키지

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