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S25FL032P0XMFI001

S25FL032P0XMFI001 S25FL032P0XMFI001

참조 용

부품 번호 S25FL032P0XMFI001
PNEDA 부품 번호 S25FL032P0XMFI001
설명 IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,042
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S25FL032P0XMFI001 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S25FL032P0XMFI001
분류반도체메모리 IC기억

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S25FL032P0XMFI001 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈FL-P
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기32Mb (4M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5µs, 3ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

CY7C1426KV18-300BZCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

36Mb (4M x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

S29GL256P90FFSS90

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

PF48F4400P0VBQE0

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Axcell™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

88-TFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

88-SCSP (8x11)

IDT71V65603ZS133PF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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