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S25FL128SDSMFV003

S25FL128SDSMFV003

참조 용

부품 번호 S25FL128SDSMFV003
PNEDA 부품 번호 S25FL128SDSMFV003
설명 IC FLASH 128M SPI 80MHZ 16SOIC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S25FL128SDSMFV003 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S25FL128SDSMFV003
분류반도체메모리 IC기억

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S25FL128SDSMFV003 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈FL-S
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기128Mb (16M x 8)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

137-TFBGA

공급자 장치 패키지

137-TFBGA (10.5x13)

IDT71V632ZS5PF

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

2Mb (64K x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.63V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

CY14B108L-ZS45XI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

SST25VF080B-80-4I-QAE-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST25

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON

RM25C128DS-LTAI-T

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제조업체

Adesto Technologies

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

CBRAM®

기술

CBRAM

메모리 크기

128kb (64B Page Size)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

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