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S26KL256SDABHN030

S26KL256SDABHN030

참조 용

부품 번호 S26KL256SDABHN030
PNEDA 부품 번호 S26KL256SDABHN030
설명 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 9,240
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S26KL256SDABHN030 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S26KL256SDABHN030
분류반도체메모리 IC기억

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S26KL256SDABHN030 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈HyperFlash™ KL
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간96ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-VBGA
공급자 장치 패키지24-FBGA (6x8)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

120µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

AT28HC64B-70SI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOIC

NP5Q064AE3ESFC0E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

Omneo™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

PCM (PRAM)

기술

PCM (PRAM)

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

280µs

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SO W

M25P16-VMC6TG TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

75MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UFDFPN (MLP8) (4x3)

IS61DDP2B24M18A-400M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR IIP

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

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165-LFBGA (15x17)

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