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S26KS256SDGBHN030

S26KS256SDGBHN030

참조 용

부품 번호 S26KS256SDGBHN030
PNEDA 부품 번호 S26KS256SDGBHN030
설명 IC FLASH 256M PARALLEL 24FBGA
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,448
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S26KS256SDGBHN030 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S26KS256SDGBHN030
분류반도체메모리 IC기억

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S26KS256SDGBHN030 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈HyperFlash™ KS
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기256Mb (32M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간96ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-VBGA
공급자 장치 패키지24-FBGA (6x8)

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-VFBGA

공급자 장치 패키지

134-VFBGA (10x11.5)

BR24T01FJ-WE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP-J

93LC86C-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

M27C2001-70C6TR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.35x13.89)

DS1250W-150

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

150ns

접근 시간

150ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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