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S29WS128N0SBFW010

S29WS128N0SBFW010

참조 용

부품 번호 S29WS128N0SBFW010
PNEDA 부품 번호 S29WS128N0SBFW010
설명 IC MEMORY NOR
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S29WS128N0SBFW010 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S29WS128N0SBFW010
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
S29WS128N0SBFW010, S29WS128N0SBFW010 데이터 시트 (총 페이지: 79, 크기: 1,777.56 KB)
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S29WS128N0SBFW010 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
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장착 유형-
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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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54-TFBGA (8x8)

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

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접근 시간

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Surface Mount

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제조업체

Macronix

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

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장착 유형

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QUADP

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-LFBGA (15x17)

IDT71V65602S100BG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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