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S320QR

S320QR

참조 용

부품 번호 S320QR
PNEDA 부품 번호 S320QR
설명 DIODE GEN PURP REV 1.2KV DO205AB
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,814
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S320QR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S320QR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S320QR, S320QR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 731.2 KB)
PDFS320QR 데이터 시트 표지
S320QR 데이터 시트 페이지 2 S320QR 데이터 시트 페이지 3

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S320QR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)320A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 300A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-205AB, DO-9, Stud
공급자 장치 패키지DO-205AB, DO-9
작동 온도-접합-60°C ~ 180°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

VS-EPU3006-F3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AC Modified

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

AS4PM-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

2.4A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

962mV @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.8µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

BAT2402ELSE6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

4V

전류-평균 정류 (Io)

110mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

410mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

커패시턴스 @ Vr, F

230pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0201 (0603 Metric)

공급자 장치 패키지

PG-TSSLP-2-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HS1FL RVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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