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S34MS02G200GHV003

S34MS02G200GHV003

참조 용

부품 번호 S34MS02G200GHV003
PNEDA 부품 번호 S34MS02G200GHV003
설명 IC FLASH 2G PARALLEL
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,128
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S34MS02G200GHV003 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S34MS02G200GHV003
분류반도체메모리 IC기억

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S34MS02G200GHV003 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈MS-2
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지45ns
접근 시간45ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스67-VFBGA
공급자 장치 패키지67-BGA (8x6.5)

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

1.125Mb (32K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

TH58NYG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

제조업체

Toshiba Memory America, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (SLC)

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-BGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (9x11)

71V65603S133BQI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

70V25L45J8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.21x29.21)

CYK512K16SCAU-70BAXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-FBGA (6x8)

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