S3DB R5G
참조 용
| 부품 번호 | S3DB R5G |
| PNEDA 부품 번호 | S3DB-R5G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,434 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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S3DB R5G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | S3DB R5G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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S3DB R5G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.15V @ 3A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 1.5µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AA, SMB |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AA (SMB) |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-128 공급자 장치 패키지 SOD-128 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 700mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 975mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/585 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 660V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 2A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 30ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 660V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 10V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 A, Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 400µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123H 공급자 장치 패키지 SOD-123HE 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
