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S6KR

S6KR

참조 용

부품 번호 S6KR
PNEDA 부품 번호 S6KR
설명 DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S6KR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S6KR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S6KR, S6KR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 781.81 KB)
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S6KR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 6A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

1N3293R

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

17mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AA (DO-8)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

42pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

BAT54LP-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0402 (1006 Metric)

공급자 장치 패키지

X1-DFN1006-2

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

FGP30B-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

70pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

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