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S6QR

S6QR

참조 용

부품 번호 S6QR
PNEDA 부품 번호 S6QR
설명 DIODE GEN PURP REV 1.2KV 6A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,560
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 18 - 4월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S6QR 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S6QR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S6QR, S6QR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 781.81 KB)
PDFS6QR 데이터 시트 표지
S6QR 데이터 시트 페이지 2 S6QR 데이터 시트 페이지 3

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S6QR 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)6A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 6A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Powerex Inc.

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

7mA @ 1400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AA (DO-8)

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시리즈

Z-Rec®

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

33A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

754pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SB10-05A3-BT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

125°C (Max)

IDC08S120EX7SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

7.5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 7.5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

180µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

380pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Sawn on foil

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

HER302-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

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