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S85M

S85M

참조 용

부품 번호 S85M
PNEDA 부품 번호 S85M
설명 DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,218
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

S85M 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S85M
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
S85M, S85M 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 785.91 KB)
PDFS85MR 데이터 시트 표지
S85MR 데이터 시트 페이지 2 S85MR 데이터 시트 페이지 3

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S85M 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)85A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 85A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5
작동 온도-접합-65°C ~ 180°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

350mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

작동 온도-접합

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.47µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

7.9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-221AC, SMA Flat Leads

공급자 장치 패키지

DO-221AC (SlimSMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RS1DLHMHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

ESGLWHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

800mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 800mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

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