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S98WS512P00FW0032

S98WS512P00FW0032

참조 용

부품 번호 S98WS512P00FW0032
PNEDA 부품 번호 S98WS512P00FW0032
설명 IC GATE NOR
제조업체 Cypress Semiconductor
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S98WS512P00FW0032 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호S98WS512P00FW0032
분류반도체메모리 IC기억

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S98WS512P00FW0032 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형-
메모리 포맷-
기술-
메모리 크기-
메모리 인터페이스-
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

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패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

MT29F2G08ABBEAHC-IT:E TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Quad Port, Synchronous

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2.6ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

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Micron Technology Inc.

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시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

512Gb (64G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

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전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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