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SBC847BDW1T1G

SBC847BDW1T1G

참조 용

부품 번호 SBC847BDW1T1G
PNEDA 부품 번호 SBC847BDW1T1G
설명 TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 158,652
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SBC847BDW1T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SBC847BDW1T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-어레이
데이터 시트
SBC847BDW1T1G, SBC847BDW1T1G 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 177.52 KB)
PDFNSVBC848CDW1T1G 데이터 시트 표지
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  • SBC847BDW1T1G Distributor

SBC847BDW1T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 5V
전력-최대380mW
주파수-전환100MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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시리즈

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트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

공급자 장치 패키지

SMini5-G1

PBSS4021SN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

275mV @ 375mA, 7.5A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

250 @ 4A, 2V

전력-최대

2.3W

주파수-전환

115MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SLA6020

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

트랜지스터 유형

3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge)

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 6mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 3A, 4V

전력-최대

5W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

12-SIP

공급자 장치 패키지

12-SIP w/fin

ULN2002AD16-U

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

7 NPN Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-PDIP

DSS45160FDB-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN, PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V

전력-최대

405mW

주파수-전환

175MHz, 65MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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