SCS320AHGC9
참조 용
| 부품 번호 | SCS320AHGC9 |
| PNEDA 부품 번호 | SCS320AHGC9 |
| 설명 | SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 21,048 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SCS320AHGC9 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SCS320AHGC9 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SCS320AHGC9 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 650V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 20A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 650V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 1000pF @ 1V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-2 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220ACP |
| 작동 온도-접합 | 175°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 eSMP® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 200µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 MicroSMP 공급자 장치 패키지 MicroSMP 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 500V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 6A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 500V 커패시턴스 @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 SUPERECTIFIER® 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 1.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 400mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F 200pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 0603 (1608 Metric) 공급자 장치 패키지 CST2C 작동 온도-접합 125°C (Max) |
