SCTWA50N120
참조 용
| 부품 번호 | SCTWA50N120 |
| PNEDA 부품 번호 | SCTWA50N120 |
| 설명 | MOSFET N-CH 1200V 65A HIP247 |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,640 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SCTWA50N120 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SCTWA50N120 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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SCTWA50N120 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 65A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 20V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 69mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 122nC @ 20V |
| Vgs (최대) | +25V, -10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1900pF @ 400V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 318W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | HiP247™ |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1136pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DFN2020MD-6 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Ta), 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 61A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 53nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2880pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 150W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 I2PAK (TO-262) 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 39A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 57mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 96nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3750pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 250W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
