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SD100-11-21-221

SD100-11-21-221

참조 용

부품 번호 SD100-11-21-221
PNEDA 부품 번호 SD100-11-21-221
설명 SENSOR PHOTODIODE 660NM TO5
제조업체 Advanced Photonix
단가 견적 요청
재고 있음 8,568
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SD100-11-21-221 리소스

브랜드 Advanced Photonix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SD100-11-21-221
분류센서광 센서광 센서-포토 다이오드
데이터 시트
SD100-11-21-221, SD100-11-21-221 데이터 시트 (총 페이지: 1, 크기: 99.52 KB)
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  • SD100-11-21-221 Distributor

SD100-11-21-221 사양

제조업체Advanced Photonix
시리즈-
파장660nm
색상-강화Red
분광 범위350nm ~ 1100nm
다이오드 유형PIN
nm에서의 반응0.55 A/W @ 900nm
응답 시간13ns
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)75V
전류-어둡게 (일반)1.6nA
활성 영역5.067mm²
시야각90°
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스-

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PDB-C613-3

Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

940nm

색상-강화

Blue

분광 범위

350nm ~ 1100nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

50ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-어둡게 (일반)

90nA

활성 영역

86.4mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Free Hanging

패키지 / 케이스

Chip with 34 Gauge BUSS Wire

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Advanced Photonix

제조업체

Advanced Photonix

시리즈

-

파장

940nm

색상-강화

Blue

분광 범위

350nm ~ 1100nm

다이오드 유형

-

nm에서의 반응

-

응답 시간

2.5µs

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

25V

전류-어둡게 (일반)

35nA

활성 영역

62.91mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Free Hanging

패키지 / 케이스

Die

MICROFJ-60035-TSV-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

J

파장

420nm

색상-강화

-

분광 범위

200nm ~ 900nm

다이오드 유형

Avalanche

nm에서의 반응

-

응답 시간

250ps

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

24.7V

전류-어둡게 (일반)

7.5µA

활성 영역

36.85mm²

시야각

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-WBGA

VEMD2523X01

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

파장

900nm

색상-강화

-

분광 범위

350nm ~ 1120nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

100ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-어둡게 (일반)

1nA

활성 영역

0.23mm²

시야각

70°

작동 온도

-40°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD

PD204-6C

Everlight Electronics Co Ltd

제조업체

Everlight Electronics Co Ltd

시리즈

-

파장

940nm

색상-강화

-

분광 범위

400nm ~ 1100nm

다이오드 유형

PIN

nm에서의 반응

-

응답 시간

6ns

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

170V

전류-어둡게 (일반)

10nA

활성 영역

9mm²

시야각

-

작동 온도

-25°C ~ 85°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Radial

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