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SD56120C

SD56120C

참조 용

부품 번호 SD56120C
PNEDA 부품 번호 SD56120C
설명 FET RF 72V 860MHZ M246
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 5,292
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SD56120C 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SD56120C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
SD56120C, SD56120C 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 224.55 KB)
PDFSD56120C 데이터 시트 표지
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SD56120C 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)14A
소음 수치-
현재-테스트400mA
전원-출력100W
전압-정격72V
패키지 / 케이스M246
공급자 장치 패키지M246

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이득

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

550W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-4

공급자 장치 패키지

SOT1258-4

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

21.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

1.26W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PLD-1.5W

공급자 장치 패키지

PLD-1.5W

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

19.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.8A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-2L2LA

공급자 장치 패키지

NI-780S-2L2LA

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.18GHz

이득

18.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1271-2

공급자 장치 패키지

SOT1271-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

35W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

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