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SD56120M

SD56120M

참조 용

부품 번호 SD56120M
PNEDA 부품 번호 SD56120M
설명 FET RF 65V 860MHZ M252
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,006
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SD56120M 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SD56120M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
SD56120M, SD56120M 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 294.08 KB)
PDFSD56120M 데이터 시트 표지
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SD56120M 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수860MHz
이득16dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)14A
소음 수치-
현재-테스트400mA
전원-출력120W
전압-정격65V
패키지 / 케이스M252
공급자 장치 패키지M252

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전압-정격

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125V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

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현재-테스트

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전원-출력

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전압-정격

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시리즈

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이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

72W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

900MHz ~ 930MHz

이득

19dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

90mA

전원-출력

500W

전압-정격

114.5V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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