SE100PWJ-M3/I
참조 용
| 부품 번호 | SE100PWJ-M3/I |
| PNEDA 부품 번호 | SE100PWJ-M3-I |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,444 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SE100PWJ-M3/I 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SE100PWJ-M3/I |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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SE100PWJ-M3/I 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | eSMP® |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 10A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.14V @ 10A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 2.6µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 20µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 78pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 공급자 장치 패키지 | SlimDPAK |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 40V 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지 DO-15 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Sanken 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 1.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 700mV @ 1.5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 60V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-SMD, J-Lead 공급자 장치 패키지 SJP 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 60V 전류-평균 정류 (Io) 15mA (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 15mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 1ns 전류-역방향 누설 @ Vr 200nA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 작동 온도-접합 -65°C ~ 125°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/590 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1100V 전류-평균 정류 (Io) 1.4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.6V @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 60ns 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E, Axial 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 525mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 2mA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -65°C ~ 125°C |
