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SE20DB-M3/I

SE20DB-M3/I

참조 용

부품 번호 SE20DB-M3/I
PNEDA 부품 번호 SE20DB-M3-I
설명 DIODE GEN PURP 200V 3.9A TO263AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,392
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SE20DB-M3/I 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SE20DB-M3/I
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SE20DB-M3/I, SE20DB-M3/I 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 112.11 KB)
PDFSE20DJHM3/I 데이터 시트 표지
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  • SE20DB-M3/I Distributor

SE20DB-M3/I 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, eSMP®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3.9A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 20A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)3µs
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F150pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
공급자 장치 패키지TO-263AC (SMPD)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

80pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

AR4PDHM3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

140ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

77pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SD125SC200B.T2

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

MBR3580R

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 35A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HSM540J/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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