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SE30AFG-M3/6A

SE30AFG-M3/6A

참조 용

부품 번호 SE30AFG-M3/6A
PNEDA 부품 번호 SE30AFG-M3-6A
설명 DIODE GEN PURP 400V 3A DO221AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 264,144
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SE30AFG-M3/6A 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SE30AFG-M3/6A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SE30AFG-M3/6A, SE30AFG-M3/6A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 113.35 KB)
PDFSE30AFJHM3J/6A 데이터 시트 표지
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  • SE30AFG-M3/6A Distributor

SE30AFG-M3/6A 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)3A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 3A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F19pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-221AC, SMA Flat Leads
공급자 장치 패키지DO-221AC (SlimSMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10mA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ADD-A-PAK (3)

공급자 장치 패키지

ADD-A-PAK®

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

CD214A-B230LF

Bourns

제조업체

Bourns Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

200pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

SMA (DO-214AC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

CURA107-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

150°C (Max)

GP2D050A120B

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

Amp+™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

50A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 50A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

3174pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

1N1191

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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