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SE70PD-M3/87A

SE70PD-M3/87A

참조 용

부품 번호 SE70PD-M3/87A
PNEDA 부품 번호 SE70PD-M3-87A
설명 DIODE GEN PURP 200V 2.9A TO277A
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,590
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SE70PD-M3/87A 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SE70PD-M3/87A
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SE70PD-M3/87A, SE70PD-M3/87A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 98.5 KB)
PDFSE70PJHM3/86A 데이터 시트 표지
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  • SE70PD-M3/87A Distributor

SE70PD-M3/87A 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)2.9A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.05V @ 7A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)2.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr20µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F76pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-277, 3-PowerDFN
공급자 장치 패키지TO-277A (SMPC)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

95pF @ 4V, 1MHz

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

250V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 225V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

175°C (Max)

ES2BHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

18pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

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VS-1N3893R

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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1.4V @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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