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SF38GHA0G

SF38GHA0G

참조 용

부품 번호 SF38GHA0G
PNEDA 부품 번호 SF38GHA0G
설명 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,424
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 30 - 2월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SF38GHA0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SF38GHA0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SF38GHA0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지DO-201AD
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Comchip Technology

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S85DR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 85A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 180°C

STTA106U

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

125°C (Max)

VS-8TQ080-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 16A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

550µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

500pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

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SR215 R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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