SF42GHA0G
참조 용
| 부품 번호 | SF42GHA0G |
| PNEDA 부품 번호 | SF42GHA0G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 100V 4A DO201AD |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,032 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 16 - 2월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SF42GHA0G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SF42GHA0G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SF42GHA0G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 100V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 4A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 4A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 100V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 100pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AD, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-201AD |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 * 다이오드 유형 - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) - 전류-평균 정류 (Io) - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 - 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 5A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 560mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 650µA @ 45V 커패시턴스 @ Vr, F 740pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-221AC, SMA Flat Leads 공급자 장치 패키지 DO-221AC (SlimSMA) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1400V 전류-평균 정류 (Io) 175A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.65V @ 470A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 45mA @ 1400V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AA, DO-8, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AA (DO-8) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 10A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.8V @ 10A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220AB-2L 작동 온도-접합 150°C (Max) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F 180pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Powermite®3 공급자 장치 패키지 Powermite 3 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
