SF804GHC0G
참조 용
| 부품 번호 | SF804GHC0G |
| PNEDA 부품 번호 | SF804GHC0G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AB |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,182 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SF804GHC0G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SF804GHC0G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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SF804GHC0G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 975mV @ 8A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 35ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 150°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 600A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2.15V @ 1500A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 7µs 전류-역방향 누설 @ Vr 50mA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AB, B-PUK 공급자 장치 패키지 DO-200AB, B-PUK 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 4.8A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 580mV @ 15A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1.5mA @ 45V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-277, 3-PowerDFN 공급자 장치 패키지 TO-277A (SMPC) 작동 온도-접합 -40°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 50A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr - 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-2 공급자 장치 패키지 TO-247-2 작동 온도-접합 175°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 12pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지 DO-214AC (SMA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 5A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 5A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 170µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 160pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 PG-TO220-2-2 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
