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SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD

SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD

참조 용

부품 번호 SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD
PNEDA 부품 번호 SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD
설명 IC FLASH 64GBIT EMMC 153LFBGA
제조업체 Swissbit
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SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD 리소스

브랜드 Swissbit
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD
분류반도체메모리 IC기억

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SFEM008GB1EA1TO-I-GE-111-STD 사양

제조업체Swissbit
시리즈EM-20
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NAND (MLC)
메모리 크기64Gb (8G x 8)
메모리 인터페이스eMMC
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스153-LFBGA
공급자 장치 패키지153-LFBGA (11.5x13)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

CY7C09579V-83AC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.152Mb (32K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-LQFP

공급자 장치 패키지

144-TQFP (20x20)

MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-VBGA

공급자 장치 패키지

152-VBGA (14x18)

MT52L1G32D4PG-093 WT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

32Gb (1G x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1.066GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

178-VFBGA

공급자 장치 패키지

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7024L17J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

17ns

접근 시간

17ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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