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SFS1001G MNG

SFS1001G MNG

참조 용

부품 번호 SFS1001G MNG
PNEDA 부품 번호 SFS1001G-MNG
설명 DIODE GEN PURP 50V 10A TO263AB
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,676
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 8 - 11월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SFS1001G MNG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SFS1001G MNG
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SFS1001G MNG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If975mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F70pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB (D²PAK)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 25A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

VS-50WQ03FNTRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

5.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

460mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

590pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

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Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

1N4947GPHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

15ETX06

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3.2V @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

32ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

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