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SFT1350-H

SFT1350-H

참조 용

부품 번호 SFT1350-H
PNEDA 부품 번호 SFT1350-H
설명 MOSFET P-CH 40V 19A TP
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SFT1350-H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SFT1350-H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SFT1350-H, SFT1350-H 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 411.52 KB)
PDFSFT1350-TL-H 데이터 시트 표지
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SFT1350-H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)19A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs59mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds590pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TP
패키지 / 케이스TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

185nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXTH)

패키지 / 케이스

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STL8N6LF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

668pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

65W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

DMP6110SVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

969pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TSOT-26

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NTMFS4H01NFT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

54A (Ta), 334A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

82nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5538pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 118µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

165nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13000pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

188W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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