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SGB20N60ATMA1

SGB20N60ATMA1

참조 용

부품 번호 SGB20N60ATMA1
PNEDA 부품 번호 SGB20N60ATMA1
설명 IGBT 600V 40A 179W TO263-3
제조업체 Infineon Technologies
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGB20N60ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGB20N60ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGB20N60ATMA1, SGB20N60ATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 790.21 KB)
PDFSGB20N60ATMA1 데이터 시트 표지
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  • SGB20N60ATMA1 Distributor

SGB20N60ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
전력-최대179W
에너지 전환440µJ (on), 330µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C36ns/225ns
테스트 조건400V, 20A, 16Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지PG-TO263-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

74A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

250W

에너지 전환

350µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/165ns

테스트 조건

400V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

73ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IRG8CH20K10F

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/170ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IXDH30N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

76A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

4.6mJ (on), 3.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 30A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXDH)

STGB35N35LZ-1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

345V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 15A

전력-최대

176W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.1µs/26.5µs

테스트 조건

300V, 15A, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

I2PAK (TO-262)

IRG7PH50U-EP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

전력-최대

556W

에너지 전환

4.6mJ (on), 3.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

440nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/430ns

테스트 조건

600V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247AD

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