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SGD02N120BUMA1

SGD02N120BUMA1

참조 용

부품 번호 SGD02N120BUMA1
PNEDA 부품 번호 SGD02N120BUMA1
설명 IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $277.0614
50 ---------- $264.0741
100 ---------- $251.0869
200 ---------- $238.0996
400 ---------- $227.2769
500 ---------- $216.4542
재고 있음 6,002
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예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGD02N120BUMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGD02N120BUMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGD02N120BUMA1, SGD02N120BUMA1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 376.76 KB)
PDFSGI02N120XKSA1 데이터 시트 표지
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  • SGD02N120BUMA1 Distributor

SGD02N120BUMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)6.2A
전류-수집기 펄스 (Icm)9.6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 2A
전력-최대62W
에너지 전환220µJ
입력 유형Standard
게이트 차지11nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C23ns/260ns
테스트 조건800V, 2A, 91Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IRG4BC15UD-LPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

42A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

전력-최대

49W

에너지 전환

240µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/160ns

테스트 조건

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

FGM622S

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 25A

전력-최대

60W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

40nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/200ns

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

HGTG18N120BND

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

전력-최대

390W

에너지 전환

1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/170ns

테스트 조건

960V, 18A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 12A

전력-최대

150W

에너지 전환

160µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/73ns

테스트 조건

400V, 12A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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