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SGD02N60BUMA1

SGD02N60BUMA1

참조 용

부품 번호 SGD02N60BUMA1
PNEDA 부품 번호 SGD02N60BUMA1
설명 IGBT 600V 6A 30W TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,604
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGD02N60BUMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGD02N60BUMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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SGD02N60BUMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)6A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 2A
전력-최대30W
에너지 전환64µJ
입력 유형Standard
게이트 차지14nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/259ns
테스트 조건400V, 2A, 118Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

6.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/400ns

테스트 조건

800V, 20A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263 (IXGA)

IGC70T120T8RQ

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 75A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IRGPS40B120UDP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전력-최대

595W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

340nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

180ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-274AA

공급자 장치 패키지

SUPER-247™ (TO-274AA)

NGTB20N60L2TF1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 20A

전력-최대

64W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/193ns

테스트 조건

300V, 20A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전력-최대

250W

에너지 전환

3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/110ns

테스트 조건

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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