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SGF23N60UFDM1TU

SGF23N60UFDM1TU

참조 용

부품 번호 SGF23N60UFDM1TU
PNEDA 부품 번호 SGF23N60UFDM1TU
설명 IGBT 600V 23A 75W TO3PF
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGF23N60UFDM1TU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGF23N60UFDM1TU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGF23N60UFDM1TU, SGF23N60UFDM1TU 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 607.19 KB)
PDFSGF23N60UFDM1TU 데이터 시트 표지
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  • SGF23N60UFDM1TU Distributor

SGF23N60UFDM1TU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)23A
전류-수집기 펄스 (Icm)92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 12A
전력-최대75W
에너지 전환115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17ns/60ns
테스트 조건300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-3PF

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

555W

에너지 전환

3mJ (on), 3.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

49ns/199ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

198ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

IRGB4062DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

115µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/104ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

89ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRGP4760PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

144A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 48A

전력-최대

325W

에너지 전환

1.7mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/140ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

NGB18N40CLBT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4BC15UDSTRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

42A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

전력-최대

49W

에너지 전환

240µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/160ns

테스트 조건

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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