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SGH20N60RUFDTU

SGH20N60RUFDTU

참조 용

부품 번호 SGH20N60RUFDTU
PNEDA 부품 번호 SGH20N60RUFDTU
설명 IGBT 600V 32A 195W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGH20N60RUFDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGH20N60RUFDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGH20N60RUFDTU, SGH20N60RUFDTU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 765.2 KB)
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SGH20N60RUFDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)32A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 20A
전력-최대195W
에너지 전환524µJ (on), 473µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/48ns
테스트 조건300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)95ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 50A

전력-최대

282W

에너지 전환

740µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/220ns

테스트 조건

400V, 25A, 8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

TIG056BF-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5V @ 15V, 240A

전력-최대

30W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/140ns

테스트 조건

320V, 240A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-3FS

ISL9V5036P3-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

46A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/10.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

STGB10NC60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

65W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGP3NB60FD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

전력-최대

68W

에너지 전환

125µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12.5ns/105ns

테스트 조건

480V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

45ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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