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SGH20N60RUFDTU

SGH20N60RUFDTU

참조 용

부품 번호 SGH20N60RUFDTU
PNEDA 부품 번호 SGH20N60RUFDTU
설명 IGBT 600V 32A 195W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGH20N60RUFDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGH20N60RUFDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGH20N60RUFDTU, SGH20N60RUFDTU 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 765.2 KB)
PDFSGH20N60RUFDTU 데이터 시트 표지
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SGH20N60RUFDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)32A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 20A
전력-최대195W
에너지 전환524µJ (on), 473µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/48ns
테스트 조건300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)95ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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STMicroelectronics

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

65W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRG4P254SPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

98A

전류-수집기 펄스 (Icm)

196A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 55A

전력-최대

200W

에너지 전환

380µJ (on), 3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/270ns

테스트 조건

200V, 55A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IRG4PH20KD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.3V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

620µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

28nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/100ns

테스트 조건

800V, 5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

51ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGP3NB60FD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

전력-최대

68W

에너지 전환

125µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12.5ns/105ns

테스트 조건

480V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

45ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRG4BC10SD-SPBF

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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