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SGH40N60UFDM1TU

SGH40N60UFDM1TU

참조 용

부품 번호 SGH40N60UFDM1TU
PNEDA 부품 번호 SGH40N60UFDM1TU
설명 IGBT 600V 40A 160W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGH40N60UFDM1TU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGH40N60UFDM1TU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGH40N60UFDM1TU, SGH40N60UFDM1TU 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 647 KB)
PDFSGH40N60UFDTU 데이터 시트 표지
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SGH40N60UFDM1TU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 20A
전력-최대160W
에너지 전환160µJ (on), 200µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지97nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/65ns
테스트 조건300V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

15A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

전력-최대

73.5W

에너지 전환

80µJ (on), 70µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12.1nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

5.4ns/25.4ns

테스트 조건

400V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB (D²PAK)

IGB50N60TATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

전력-최대

333W

에너지 전환

2.6mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

310nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/299ns

테스트 조건

400V, 50A, 7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

270µJ (on), 90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/42ns

테스트 조건

300V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

85W

에너지 전환

1.1mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 10A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268AA

RGT50TS65DGC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

174W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/88ns

테스트 조건

400V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

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