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SGH80N60UFDTU

SGH80N60UFDTU

참조 용

부품 번호 SGH80N60UFDTU
PNEDA 부품 번호 SGH80N60UFDTU
설명 IGBT 600V 80A 195W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGH80N60UFDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGH80N60UFDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGH80N60UFDTU, SGH80N60UFDTU 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 695.67 KB)
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SGH80N60UFDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 40A
전력-최대195W
에너지 전환570µJ (on), 590µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지175nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C23ns/90ns
테스트 조건300V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)95ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 8A

전력-최대

38W

에너지 전환

310µJ (on), 3.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

76ns/815ns

테스트 조건

480V, 8A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

IXGY2N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

8A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 5A

전력-최대

25W

에너지 전환

600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/300ns

테스트 조건

960V, 2A, 150Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252AA

FGA30N60LSDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

전력-최대

480W

에너지 전환

1.1mJ (on), 21mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/250ns

테스트 조건

400V, 30A, 6.8Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

FGA90N33ATDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

330A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

전력-최대

223W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

23ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

350W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/180ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

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