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SGP23N60UFDTU

SGP23N60UFDTU

참조 용

부품 번호 SGP23N60UFDTU
PNEDA 부품 번호 SGP23N60UFDTU
설명 IGBT 600V 23A 100W TO220
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $31.2568
100 ---------- $29.7917
250 ---------- $28.3265
500 ---------- $26.8613
750 ---------- $25.6404
1,000 ---------- $24.4194
재고 있음 445
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGP23N60UFDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGP23N60UFDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGP23N60UFDTU, SGP23N60UFDTU 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 627.75 KB)
PDFSGP23N60UFDTU 데이터 시트 표지
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  • SGP23N60UFDTU Distributor

SGP23N60UFDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)23A
전류-수집기 펄스 (Icm)92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 12A
전력-최대100W
에너지 전환115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17ns/60ns
테스트 조건300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

관심을 가질만한 제품

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

216W

에너지 전환

1mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/240ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

120ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

350W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/180ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 55A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/150ns

테스트 조건

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264AA(IXSK)

FGB30N6S2DT

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/40ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

46ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

RJH60D1DPP-M0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

전력-최대

30W

에너지 전환

100µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/42ns

테스트 조건

300V, 10A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FL

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SRN6045TA-470M

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