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SGP5N60RUFDTU

SGP5N60RUFDTU

참조 용

부품 번호 SGP5N60RUFDTU
PNEDA 부품 번호 SGP5N60RUFDTU
설명 IGBT 600V 8A 60W TO220
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 3,258
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGP5N60RUFDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGP5N60RUFDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGP5N60RUFDTU, SGP5N60RUFDTU 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 616.54 KB)
PDFSGP5N60RUFDTU 데이터 시트 표지
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SGP5N60RUFDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전류-수집기 펄스 (Icm)15A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 5A
전력-최대60W
에너지 전환88µJ (on), 107µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지16nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C13ns/34ns
테스트 조건300V, 5A, 40Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)55ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220-3

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FGP5N60LS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

36A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 12V, 14A

전력-최대

83W

에너지 전환

38µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18.3nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

4.3ns/36ns

테스트 조건

400V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

NGTG40N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

535W

에너지 전환

3.4mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

313nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

116ns/286ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

APT100GN120B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

245A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전력-최대

960W

에너지 전환

11mJ (on), 9.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

540nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/615ns

테스트 조건

800V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

IKW50N60H3FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 50A

전력-최대

333W

에너지 전환

2.36mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

315nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/235ns

테스트 조건

400V, 50A, 7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

130ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™, Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/60ns

테스트 조건

480V, 12A, 18Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

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IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP

4610X-101-102LF

4610X-101-102LF

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BNX023-01L

Murata

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VNQ600

VNQ600

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RELAY SSR 4-CH HI-SIDE 28-SOIC

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AD694ARZ-REEL

Analog Devices

IC TRANSMITTER 4-20MA 16-SOIC

MC33174DR2G

MC33174DR2G

ON Semiconductor

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

MAX791ESE+T

MAX791ESE+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU 16-SOIC

1.5KE33A

1.5KE33A

ON Semiconductor

TVS DIODE 28.2V 45.7V AXIAL