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SGR2N60UFDTF

SGR2N60UFDTF

참조 용

부품 번호 SGR2N60UFDTF
PNEDA 부품 번호 SGR2N60UFDTF
설명 IGBT 600V 2.4A 25W DPAK
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGR2N60UFDTF 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGR2N60UFDTF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGR2N60UFDTF, SGR2N60UFDTF 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 498.15 KB)
PDFSGR2N60UFDTM 데이터 시트 표지
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SGR2N60UFDTF 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)2.4A
전류-수집기 펄스 (Icm)10A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 1.2A
전력-최대25W
에너지 전환30µJ (on), 13µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/80ns
테스트 조건300V, 1.2A, 200Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

60µJ (on), 80µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

26nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/110ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IRGP4078DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

74A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

278W

에너지 전환

1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

92nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/116ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

IRGB30B60K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

APT50GP60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

190A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

625W

에너지 전환

465µJ (on), 637µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/83ns

테스트 조건

400V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IKW25T120FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전력-최대

190W

에너지 전환

4.2mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

155nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/560ns

테스트 조건

600V, 25A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

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