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SGW23N60UFDTM

SGW23N60UFDTM

참조 용

부품 번호 SGW23N60UFDTM
PNEDA 부품 번호 SGW23N60UFDTM
설명 IGBT 600V 23A 100W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SGW23N60UFDTM 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SGW23N60UFDTM
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
SGW23N60UFDTM, SGW23N60UFDTM 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 591.28 KB)
PDFSGW23N60UFDTM 데이터 시트 표지
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  • SGW23N60UFDTM Distributor

SGW23N60UFDTM 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)23A
전류-수집기 펄스 (Icm)92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 12A
전력-최대100W
에너지 전환115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17ns/60ns
테스트 조건300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

94A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

전력-최대

379W

에너지 전환

2.315mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/300ns

테스트 조건

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

-

ISL9V3040P3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

EcoSPARK®

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

17nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4.8µs

테스트 조건

300V, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

84A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

전력-최대

280W

에너지 전환

1.4mJ (on), 700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/130ns

테스트 조건

850V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

160ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

64ns/180ns

테스트 조건

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.4µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

IXRP15N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.95V @ 15V, 10A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.1mJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

36nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 10A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

300ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

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CY2304SXI-1

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